2025/06/12 更新

写真b

フジワラ　コウヘイ
藤原　宏平
FUJIWARA KOHEI
*大学が定期的に情報更新している項目（その他は、researchmapの登録情報を転載）
所属*
理学部 化学科
理学研究科 化学専攻 博士課程後期課程
理学研究科 化学専攻 博士課程前期課程
職名*
准教授
学位
博士（科学） （ 東京大学 ）
研究キーワード

  • 薄膜・界面物性

  • 無機固体化学

  • 機能性酸化物

  • トポロジカル物質

  • 酸化物エレクトロニクス

  • スピントロニクス

    • 学内職務経歴*
    • 2024年4月 - 現在 
      理学部   化学科   准教授
    • 2024年4月 - 現在 
      理学研究科   化学専攻 博士課程前期課程   准教授
    • 2024年4月 - 現在 
      理学研究科   化学専攻 博士課程後期課程   准教授
     

    経歴

    • 2024年4月 - 現在 
      立教大学   理学部化学科   准教授

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    • 2023年4月 - 現在 
      科学技術振興機構   創発研究者

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    • 2018年10月 - 2024年3月 
      東北大学   金属材料研究所   准教授

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    • 2015年4月 - 2018年9月 
      東北大学   金属材料研究所   講師

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    • 2011年2月 - 2015年3月 
      大阪大学   産業科学研究所 産業科学ナノテクノロジーセンター   助教

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    • 2008年4月 - 2011年1月 
      理化学研究所   高木磁性研究室   基礎科学特別研究員

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    学歴

    • - 2008年3月 
      東京大学   新領域創成科学研究科   物質系専攻

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      国名： 日本国

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    • - 2005年3月 
      東京大学   新領域創成科学研究科   物質系専攻

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      国名： 日本国

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    • - 2003年3月 
      東京大学   理学部   化学科

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      国名： 日本国

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    委員歴

    • 2024年9月 - 現在 
      Communications Materials   Editorial Board Member

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      団体区分：その他

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    • 2025年6月 - 2027年3月 
      電気学会マルチ機能を有するハイブリッドヘテロ接合材料に関する技術調査専門委員会   委員

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      団体区分：学協会

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    • 2023年4月 - 2026年3月 
      電気学会電子材料技術委員会   1号委員

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      団体区分：学協会

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    • 2021年4月 - 2026年3月 
      日本学術振興会産学協力委員会R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会   委員

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      団体区分：学協会

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    • 2023年6月 - 2025年3月 
      電気学会エコシステム材料技術調査専門委員会   幹事

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    • 2020年11月 - 2025年3月 
      日本学術振興会産学協力委員会R025先進薄膜界面機能創成委員会   委員

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      団体区分：学協会

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    • 2019年6月 - 2024年3月 
      Scientific Reports   Editorial Board Member

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      団体区分：その他

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    • 2023年3月 - 2023年3月 
      令和5年電気学会全国大会シンポジウム S9「Society5.0 に向けた革新的材料・プロセス・デバ イス開発の最前線」   世話人代表

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    • 2021年4月 - 2023年3月 
      電気学会エマージングフレキシブルデバイス材料技術調査専門委員会   委員長

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    • 2022年9月 - 2022年9月 
      International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)   運営委員

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    • 2021年12月 - 2021年12月 
      Materials Research Meeting 2021, Symposium D-2: Frontier in Functional Oxides and Related Materials: from Materials Design to Device Applications   運営委員

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    • 2021年9月 - 2021年9月 
      応用物理学会第82回秋季学術講演会シンポジウムT9「固相における秩序とは何か︓機能を⽣み出す秩序の概念展開」   世話人

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    • 2020年12月 - 2020年12月 
      第30回日本MRS年次大会シンポジウムB: 先進機能性酸化物材料-作製プロセスおよび物性評価-   運営委員

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    • 2018年8月 - 2020年7月 
      電気学会フレキシブルセラミックスコーティング技術調査専門委員会   委員

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    • 2012年8月 - 2020年3月 
      文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター   専門調査員

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    • 2019年12月 - 2019年12月 
      日本MRS   Materials Research Meeting 2019, Symposium H-3: Advanced Functional Oxides: Processing, Characterization, and Devices, 運営委員

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      団体区分：学協会

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    • 2017年11月 - 2018年11月 
      電気学会電子材料研究会「フレキシブルセラミックスコーティング研究会」   運営委員

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      団体区分：学協会

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    • 2018年10月 - 2018年10月 
      4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, Symposium 2: Processing and characterization of advanced multifunctional oxides   運営委員

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      団体区分：学協会

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    • 2016年5月 - 2018年4月 
      電気学会フレキシブルコーティング技術調査専門委員会   委員

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      団体区分：学協会

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    • 2018年3月 - 2018年3月 
      応用物理学会第65回春季学術講演会シンポジウムS7「フレキシブルセラミックスコーティング技術と有機・無機ハイブリッドフレキシブルデバイスの新展開」   世話人

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      団体区分：学協会

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    • 2017年8月 - 2017年8月 
      International Union of Materials Research Societies – International Conference on Advanced Materials 2017, Symposium A-4: Magnetic oxide thin films and hetero-structures   運営委員

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      団体区分：学協会

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    • 2014年6月 - 2014年6月 
      International Union of Materials Research Societies – International Conference on Electronic Materials 2014, Symposium F: Oxide materials for advanced electronics   運営委員

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      団体区分：学協会

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    受賞

    • 2024年9月  
      電気学会  2023年度電子・情報・システム部門査読促進賞 
       
      藤原 宏平

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    • 2024年5月  
      東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター  第18回共同利用研究課題最優秀賞 
       
      藤原 宏平

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    • 2019年11月  
      日本MRS  日本MRS貢献賞 
       
      岩田 展幸, 西川 博昭, 藤原 宏平, 山本 哲也

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

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    • 2015年1月  
      日本MRS  日本MRS奨励賞 
       
      藤原 宏平

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    • 2014年9月  
      日本MRS  Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014 (2) 
       
      Kohei Fujiwara

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    • 2014年9月  
      日本MRS  Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014 (1) 
       
      Kohei Fujiwara

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    • 2013年12月  
      Materials Research Society  2013 Materials Research Society Fall Meeting, Best Poster Award 
       
      Kohei Fujiwara

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    • 2013年10月  
      応用物理学会関西支部  平成25年度第2回講演会ポスター賞（優秀賞） 
       
      藤原 宏平

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    • 2013年9月  
      応用物理学会  第34回応用物理学会講演奨励賞 
       
      藤原 宏平

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    • 2010年9月  
      応用物理学会  第32回応用物理学会論文奨励賞 
       
      藤原 宏平

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      受賞区分：国内学会・会議・シンポジウム等の賞 

      受賞国：日本国

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    論文

    • Light-induced anomalous Hall conductivity in the massive three-dimensional Dirac semimetal Co3Sn2S2 査読有り

      Naotaka Yoshikawa, Shun Okumura, Yoshua Hirai, Kazuma Ogawa, Kohei Fujiwara, Junya Ikeda, Akihiro Ozawa, Takashi Koretsune, Ryotaro Arita, Aditi Mitra, Atsushi Tsukazaki, Takashi Oka, Ryo Shimano

      Physical Review B111   245104   2025年6月2日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevb.111.245104

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      その他リンク： https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevB.111.245104

    • Giant antisymmetric magnetoresistance arising across optically controlled domain walls in the magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2 査読有り

      Kohei Fujiwara, Kazuma Ogawa, Naotaka Yoshikawa, Koji Kobayashi, Kentaro Nomura, Ryo Shimano, Atsushi Tsukazaki

      Communications Materials5   239   2024年11月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：日本語  

      DOI： 10.1038/s43246-024-00688-w

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    • Suppression of cracking induced by epitaxial strain relaxation using a relaxation absorber during the transfer of epitaxial thin films of anatase-type Nb:TiO2 査読有り

      Hiroaki Nishikawa, Akihiro Hiraoka, Kaori Sato, Shun Ito, Nobuhiro Kato, Kohei Fujiwara

      Thin Solid Films807   140531 - 140531   2024年10月

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

      DOI： 10.1016/j.tsf.2024.140531

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    • Strongly pinned skyrmionic bubbles and higher-order nonlinear Hall resistances at the interface of Pt/FeSi bilayer 査読有り

      T. Hori, N. Kanazawa, K. Matsuura, H. Ishizuka, K. Fujiwara, A. Tsukazaki, M. Ichikawa, M. Kawasaki, F. Kagawa, M. Hirayama, Y. Tokura

      Physical Review Materials8 ( 4 ) 044407   2024年4月23日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevmaterials.8.044407

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.8.044407/fulltext

    • Bipolarity of large anomalous Nernst effect in Weyl magnet-based alloy films 査読有り

      Shun Noguchi, Kohei Fujiwara, Yuki Yanagi, Michi-To Suzuki, Takamasa Hirai, Takeshi Seki, Ken-ichi Uchida, Atsushi Tsukazaki

      Nature Physics20   254 - 260   2024年1月

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      担当区分：責任著者  

      DOI： 10.1038/s41567-023-02293-z

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    • Intercorrelated anomalous Hall and spin Hall effect in kagome-lattice Co3Sn2S2-based shandite films 査読有り

      Yong-Chang Lau, Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Akihiro Ozawa, Jiaxin Zheng, Takeshi Seki, Kentaro Nomura, Liang Du, Quansheng Wu, Atsushi Tsukazaki, Koki Takanashi

      Physical Review B108 ( 6 )   2023年8月25日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevb.108.064429

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.108.064429/fulltext

    • Berry curvature contributions of kagome-lattice fragments in amorphous Fe–Sn thin films 査読有り

      Kohei Fujiwara, Yasuyuki Kato, Hitoshi Abe, Shun Noguchi, Junichi Shiogai, Yasuhiro Niwa, Hiroshi Kumigashira, Yukitoshi Motome, Atsushi Tsukazaki

      Nature Communications14 ( 1 ) 3399   2023年6月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s41467-023-39112-1

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      その他リンク： https://www.nature.com/articles/s41467-023-39112-1

    • Improvement of superconducting properties in La1-xSrxNiO2 thin films by tuning topochemical reduction temperature 査読有り

      Motoki Osada, Kohei Fujiwara, Tsutomu Nojima, Atsushi Tsukazaki

      Physical Review Materials7 ( 5 )   2023年5月18日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevmaterials.7.l051801

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.7.L051801/fulltext

    • Thin-film magnetic sensors using topological materials 招待有り

      Kohei Fujiwara, Junichi Shiogai, Atsushi Tsukazaki

      JSAP Review2023   230414   2023年5月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.11470/jsaprev.230414

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    • Enhancement of spin-charge conversion efficiency for Co3Sn2S2 across transition from paramagnetic to ferromagnetic phase 査読有り

      Takeshi Seki, Yong-Chang Lau, Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Akihiro Ozawa, Satoshi Iihama, Kentaro Nomura, Atsushi Tsukazaki

      Physical Review Research5 ( 1 )   2023年3月31日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevresearch.5.013222

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevResearch.5.013222/fulltext

    • Electrochemical thinning of Co kagome-lattice layers in ferromagnetic Co3Sn2S2 thin films by bias-induced Co dissolution 査読有り

      K. Fujiwara, J. Ikeda, S. Ito, A. Tsukazaki

      Journal of Applied Physics133   125302   2023年3月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語  

      DOI： 10.1063/5.0134291

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    • Composition tuning of Mg/Ir ratio and crystallization of a spinel-related structure in Mg-Ir-O films by pulsed-laser deposition 査読有り

      Masamichi Negishi, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki

      Thin Solid Films769   139740 - 139740   2023年3月

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier BV  

      DOI： 10.1016/j.tsf.2023.139740

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    • Non-volatile chirality switching by all-optical magnetization reversal in ferromagnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2 査読有り

      Naotaka Yoshikawa, Kazuma Ogawa, Yoshua Hirai, Kohei Fujiwara, Junya Ikeda, Atsushi Tsukazaki, Ryo Shimano

      Communications Physics5 ( 1 ) 32   2022年12月20日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC  

      DOI： 10.1038/s42005-022-01106-8

      Scopus

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      その他リンク： https://www.nature.com/articles/s42005-022-01106-8

    • Electrical detection of domain evolution in magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2 submicrometer-wide wire devices 査読有り

      Junichi Shiogai, Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Takeshi Seki, Koki Takanashi, Atsushi Tsukazaki

      Physical Review Materials6 ( 11 )   2022年11月30日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevmaterials.6.114203

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.6.114203/fulltext

    • Noble‐Metal Free Spintronic System with Proximity‐Enhanced Ferromagnetic Topological Surface State of FeSi Above Room Temperature 査読有り

      Tomohiro Hori, Naoya Kanazawa, Motoaki Hirayama, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki, Masakazu Ichikawa, Masashi Kawasaki, Yoshinori Tokura

      Advanced Materials   2206801 - 2206801   2022年11月4日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley  

      DOI： 10.1002/adma.202206801

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    • A large unidirectional magnetoresistance in Fe-Sn heterostructure devices 査読有り

      Junichi SHIOGAI, Kohei Fujiwara, Tsutomu Nojima, Atsushi TSUKAZAKI

      Japanese Journal of Applied Physics   2022年6月23日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

      Abstract

      Unidirectional magnetoresistance (UMR) is an attractive magnetic-field sensing technique as it enables detecting the in-plane direction of the external magnetic field with a single element. However, the UMR amplitude is typically several orders of magnitude smaller than those of other directional magnetoresistances exhibited in ferromagnetic thin films, hindering sensing applications using the UMR. For a directional magnetic sensor using the UMR, the in-depth understanding of mechanisms of the UMR and its enhancement are highly desirable. In this study, the structural dependence of the UMR in Fe-Sn heterostructure devices is investigated. We find a weak dependence of the UMR on interface configuration in the oxide cap/Fe-Sn heterostructures on various oxide substrates. In contrast, the normalized UMR amplitude is enhanced by a factor of 27 with increasing the Fe-Sn layer thickness from 4.0 to 100 nm. These results suggest that the magnetothermal effect dominates the large UMR in the Fe-Sn heterostructure devices.

      DOI： 10.35848/1347-4065/ac7bc8

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      その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac7bc8/pdf

    • L21 ordering of Co2FeSn thin films promoted by high-temperature annealing 査読有り

      Kohei Fujiwara, Koya Shibata, Shunsuke Nishimura, Junichi Shiogai, Atsushi Tsukazaki

      AIP Advances12 ( 6 ) 065030 - 065030   2022年6月1日

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

      We report the effect of annealing on the crystalline ordering and physical properties in thin films of a nodal line semimetal candidate L2<sub>1</sub>-type Co<sub>2</sub>FeSn. The Co–Fe–Sn films with a composition of Co:Fe:Sn ∼ 2:1:1 were deposited on MgO(001) substrates at a substrate temperature of 150 °C by radio-frequency magnetron sputtering. The as-deposited film showed x-ray diffraction patterns corresponding to the B2 ordering. Annealing at 600 and 700 °C after the deposition resulted in the appearance of the (111) diffraction peak, which is characteristic of the L2<sub>1</sub> ordering. Although anomalous Hall conductivity and transverse thermoelectric conductivity decreased from those of the as-deposited film with the annealing-induced L2<sub>1</sub> ordering, the low anomalous Hall conductivity of the 700 °C-annealed film was consistent with the theoretically estimated low value. These results show the significant influence of crystalline ordering on the electrical and thermoelectric transport properties. The annealing process is beneficial for studying the exotic physics arising from topological band features in the L2<sub>1</sub>-ordered Co<sub>2</sub>FeSn thin films.

      DOI： 10.1063/5.0093195

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    • Formation of ilmenite-type single-crystalline MgTiO3 thin films by pulsed-laser deposition 査読有り

      Masamichi Negishi, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki

      AIP Advances11 ( 12 ) 125125 - 125125   2021年12月27日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP Publishing  

      DOI： 10.1063/5.0078021

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    • Improvement of the detectivity in an Fe-Sn magnetic-field sensor with a large current injection 査読有り

      Junichi SHIOGAI, Zhenhu Jin, Yosuke Satake, Kohei Fujiwara, Atsushi TSUKAZAKI

      Japanese Journal of Applied Physics   2021年12月24日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

      Abstract

      A ferromagnetic nanocrystalline Fe-Sn is an excellent platform for magnetic-field sensor based on anomalous Hall effect (AHE) owing to simple fabrication and superior thermal stability. For improvement of the magnetic-field sensitivity, doping impurity and increasing injection current are effective approaches. However, in the light of magnetic-field detectivity, the large current may increase the voltage noise. In this study, a maximum allowable current of was improved by employing the overlayer electrode configuration on a Ta-doped Fe-Sn AHE sensor. In noise measurements, the 1/f noise becomes significant with increasing the current at low frequency, resulting in saturation of the detectivity to 240 nTHz-1/2 at 120 Hz. At high frequency, the detectivity reaches 48 nTHz-1/2 at 3.1 mA showing ten times improvement of the detectivity compared with the non-doped Fe-Sn AHE sensor. Material design and device structure optimization will accelerate further improvement of the sensing properties of the Fe-Sn-based AHE sensor.

      DOI： 10.35848/1347-4065/ac465a

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      その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac465a/pdf

    • Emergence of spin-orbit coupled ferromagnetic surface state derived from Zak phase in a nonmagnetic insulator FeSi 査読有り

      Yusuke Ohtsuka, Naoya Kanazawa, Motoaki Hirayama, Akira Matsui, Takuya Nomoto, Ryotaro Arita, Taro Nakajima, Takayasu Hanashima, Victor Ukleev, Hiroyuki Aoki, Masataka Mogi, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki, Masakazu Ichikawa, Masashi Kawasaki, Yoshinori Tokura

      Science Advances7 ( 47 ) eabj0498   2021年11月19日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Association for the Advancement of Science (AAAS)  

      Ferromagnetic-metal surface state derived from topological polarization and its spin-orbitronics functionalities in FeSi.

      DOI： 10.1126/sciadv.abj0498

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    • Tuning scalar spin chirality in ultrathin films of the kagome-lattice ferromagnet Fe3Sn 査読有り 国際誌

      K. Fujiwara, Y. Kato, T. Seki, K. Nomura, K. Takanashi, Y. Motome, A. Tsukazaki

      Communications Materials2 ( 1 ) 113   2021年11月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s43246-021-00218-y

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      その他リンク： https://www.nature.com/articles/s43246-021-00218-y

    • Three-dimensional sensing of the magnetic-field vector by a compact planar-type Hall device 査読有り

      Junichi Shiogai, Kohei Fujiwara, Tsutomu Nojima, Atsushi Tsukazaki

      Communications Materials2 ( 1 ) 102   2021年10月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s43246-021-00206-2

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    • Electrostatic carrier doping of charge-ordered YbFe2O4 thin films using ionic liquids 査読有り

      Kohei Fujiwara, Tatsuya Hori, Hidekazu Tanaka

      Applied Physics Express14 ( 8 ) 083001 - 083001   2021年7月15日

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP Publishing  

      DOI： 10.35848/1882-0786/ac114e

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      その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac114e/pdf

    • 水溶性Sr3Al2O6犠牲層を用いたアナターゼ型Nb:TiO2エピタキシャル薄膜のフレキシブル化プロセス 査読有り

      平岡壮大, 藤原宏平, 西川博昭

      電気学会論文誌C141 ( 7 ) 767 - 770   2021年7月1日

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      掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1541/ieejeiss.141.767

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    • Two-dimensionality of metallic surface conduction in Co3Sn2S2 thin films 査読有り

      Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Junichi Shiogai, Takeshi Seki, Kentaro Nomura, Koki Takanashi, Atsushi Tsukazaki

      Communications Physics4 ( 1 ) 117   2021年6月

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC  

      <title>Abstract</title>Two-dimensional (2D) surface of the topological materials is an attractive channel for the electrical conduction reflecting the linearly-dispersive electronic bands. Thickness-dependent sheet conductance measurement is a reliable method to evaluate the 2D and three-dimensional (3D) electrical conducting channel separately but has rarely been applied for Weyl semimetals. By applying this method to thin films of a Weyl semimetal Co<sub>3</sub>Sn<sub>2</sub>S<sub>2</sub>, here we show that the 2D conducting channel clearly emerges under the ferromagnetic phase, indicating a formation of the Fermi arcs projected from Weyl nodes. Comparison between 3D conductivity and 2D conductance provides the effective thickness of the surface conducting region being estimated to be approximately 20 nm, which would reflect the Weyl feature of electronic bands of the Co<sub>3</sub>Sn<sub>2</sub>S<sub>2</sub>. The emergent surface conduction will provide a pathway to activate quantum and spintronic transport features stemming from a Weyl node in thin-film-based devices.

      DOI： 10.1038/s42005-021-00627-y

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      その他リンク： http://www.nature.com/articles/s42005-021-00627-y

    • First-principles investigation of magnetic and transport properties in hole-doped shandite compounds Co3InxSn2−xS2 査読有り

      Yuki Yanagi, Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Kentaro Nomura, Atsushi Tsukazaki, Michi-To Suzuki

      Physical Review B103 ( 20 ) 205112   2021年5月7日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/physrevb.103.205112

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevB.103.205112/fulltext

    • Critical thickness for the emergence of Weyl features in Co3Sn2S2 thin films 査読有り

      J. Ikeda, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, K. Nomura, K. Takanashi, A. Tsukazaki

      Communications Materials2 ( 1 ) 18   2021年2月18日

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s43246-021-00122-5

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    • Robust perpendicular magnetic anisotropy of Co3Sn2S2 phase in sulfur deficient sputtered thin films 査読有り

      Junichi Shiogai, Junya Ikeda, Kohei Fujiwara, Takeshi Seki, Koki Takanashi, Atsushi Tsukazaki

      Physical Review Materials5 ( 2 )   2021年2月9日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/physrevmaterials.5.024403

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevMaterials.5.024403/fulltext

    • Giant magneto-optical responses in magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2 査読有り

      Y. Okamura, S. Minami, Y. Kato, Y. Fujishiro, Y. Kaneko, J. Ikeda, J. Muramoto, R. Kaneko, K. Ueda, V. Kocsis, N. Kanazawa, Y. Taguchi, T. Koretsune, K. Fujiwara, A. Tsukazaki, R. Arita, Y. Tokura, Y. Takahashi

      Nature Communications11 ( 1 ) 4629   2020年12月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s41467-020-18470-0

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      その他リンク： http://www.nature.com/articles/s41467-020-18470-0

    • Stabilization of a honeycomb lattice of IrO6 octahedra by formation of ilmenite-type superlattices in MnTiO3 査読有り

      Kei Miura, Kohei Fujiwara, Kei Nakayama, Ryo Ishikawa, Naoya Shibata, Atsushi Tsukazaki

      Communications Materials1 ( 1 ) 55   2020年12月

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      担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC  

      <title>Abstract</title>In quantum spin liquid research, thin films are an attractive arena that enables the control of magnetic interactions via epitaxial strain and two-dimensionality, which are absent in bulk crystals. Here, as a promising candidate for the development of quantum spin liquids in thin films, we propose a robust ilmenite-type oxide with a honeycomb lattice of edge-sharing IrO<sub>6</sub> octahedra artificially stabilised by superlattice formation using the ilmenite-type antiferromagnetic oxide MnTiO<sub>3</sub>. Stabilised sub-unit-cell-thick Mn–Ir–O layers are isostructural to MnTiO<sub>3</sub> and have an atomic arrangement corresponding to ilmenite-type MnIrO<sub>3</sub>. By performing spin Hall magnetoresistance measurements, we observe that antiferromagnetic ordering in the ilmenite Mn sublattice is suppressed by modified magnetic interactions in the MnO<sub>6</sub> planes via the IrO<sub>6</sub> planes. These findings contribute to the development of two-dimensional Kitaev candidate materials, accelerating the discovery of exotic physics and applications specific to quantum spin liquids.

      DOI： 10.1038/s43246-020-00059-1

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      その他リンク： http://www.nature.com/articles/s43246-020-00059-1

    • Insulator-to-Metal Transition of Cr2O3 Thin Films via Isovalent Ru3+ Substitution 査読有り 国際誌

      Kohei Fujiwara, Miho Kitamura, Daisuke Shiga, Yasuhiro Niwa, Koji Horiba, Tsutomu Nojima, Hiromichi Ohta, Hiroshi Kumigashira, Atsushi Tsukazaki

      Chemistry of Materials32 ( 12 ) 5272 - 5279   2020年5月27日

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ACS Publications  

      DOI： 10.1021/acs.chemmater.0c01497

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    • Magnetic-field-induced topological phase transition in Fe-doped (Bi,Sb)2Se3 heterostructures 査読有り

      Y. Satake, J. Shiogai, G. P. Mazur, S. Kimura, S. Awaji, K. Fujiwara, T. Nojima, K. Nomura, S. Souma, T. Sato, T. Dietl, A. Tsukazaki

      Physical Review Materials4 ( 4 )   2020年4月21日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/physrevmaterials.4.044202

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      その他リンク： https://link.aps.org/article/10.1103/PhysRevMaterials.4.044202

    • Anomalous Hall effect at the spontaneously electron-doped polar surface of PdCoO2 ultrathin films 査読有り

      T. Harada, K. Sugawara, K. Fujiwara, M. Kitamura, S. Ito, T. Nojima, K. Horiba, H. Kumigashira, T. Takahashi, T. Sato, A. Tsukazaki

      Physical Review Research2 ( 1 ) 013282   2020年3月9日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Physical Society (APS)  

      DOI： 10.1103/physrevresearch.2.013282

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      その他リンク： http://harvest.aps.org/v2/journals/articles/10.1103/PhysRevResearch.2.013282/fulltext

    • Signature of band inversion in the perovskite thin-film alloys BaSn1−xPbxO3 査読有り

      J. Shiogai, T. Chida, K. Hashimoto, K. Fujiwara, T. Sasaki, A. Tsukazaki

      Physical Review B101 ( 12 ) 125125   2020年3月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/PhysRevB.101.125125

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    • Electrical detection of the antiferromagnetic transition in MnTiO3 ultrathin films by spin Hall magnetoresistance 査読有り

      K. Miura, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Nojima, A.Tsukazaki

      Journal of Applied Physics127 ( 10 ) 103903   2020年3月

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5142193

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    • Doping-induced enhancement of anomalous Hall coefficient in Fe-Sn nanocrystalline films for highly sensitive Hall sensors 査読有り

      K. Fujiwara, Y. Satake, J. Shiogai, A. Tsukazaki

      APL Materials7 ( 11 ) 111103   2019年11月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5126499

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    • Low-frequency noise measurements on Fe-Sn Hall sensors 査読有り

      J. Shiogai, Z. Jin, Y. Satake, K. Fujiwara, A. Tsukazaki

      Applied Physics Express12 ( 12 ) 123001   2019年11月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/1882-0786/ab506a

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    • Ferromagnetic Co3Sn2S2 thin films fabricated by co-sputtering 査読有り

      K. Fujiwara, J. Ikeda, J. Shiogai, T. Seki, K. Takanashi, A. Tsukazaki

      Japanese Journal of Applied Physics58 ( 5 ) 050912   2019年4月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/1347-4065/ab12ff

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    • Growth control of corundum-derivative MnSnO3 thin films by pulsed-laser deposition 査読有り

      K. Miura, K. Fujiwara, A. Tsukazaki

      AIP Advances9   035210   2019年3月

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5090407

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    • Fe-Sn nanocrystalline films for flexible magnetic sensors with high thermal stability 査読有り

      Y. Satake, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, A. Tsukazaki

      Scientific Reports9   3282   2019年3月

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/s41598-019-39817-8

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    • Formation of distorted rutile-type NbO2, MoO2, and WO2 films by reactive sputtering 査読有り

      K. Fujiwara, A. Tsukazaki

      Journal of Applied Physics125   085301   2019年2月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5079719

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    • Thin-film stabilization of LiNbO3-type ZnSnO3 and MgSnO3 by molecular-beam epitaxy 査読有り

      Kohei Fujiwara, Hiroya Minato, Junichi Shiogai, Akihito Kumamoto, Naoya Shibata, Atsushi Tsukazaki

      APL Materials7 ( 2 ) 022505   2019年2月1日

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5054289

      Scopus

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    • Improving resistance change with temperature and thermal stability in Fe3O4 films for high-temperature resistors 査読有り

      K. Fujiwara, S. Tsubota, H. Tanaka

      Applied Physics Express12   011003   2019年1月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/1882-0786/aaf285

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    • Pulsed-laser deposition of InSe thin films for the detection of thickness-dependent bandgap modification 査読有り

      D. Zheng, J. Shiogai, K. Fujiwara, A. Tsukazaki

      Applied Physics Letters113 ( 25 ) 253501   2018年12月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5064736

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    • Effect of the depletion region in topological insulator heterostructures for ambipolar field-effect transistors 査読有り

      Satake Yosuke, Shiogai Junichi, Fujiwara Kohei, Tsukazaki Atsushi

      PHYSICAL REVIEW B98 ( 12 )   2018年9月20日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/PhysRevB.98.125415

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    • High-mobility field-effect transistor based on crystalline ZnSnO3 thin films 査読有り

      Hiroya Minato, Kohei Fujiwara, Atsushi Tsukazaki

      AIP Advances8 ( 5 ) 055327-1 - 055327-6   2018年5月1日

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      担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.5034403

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    • Highly conductive PdCoO2 ultrathin films for transparent electrodes 査読有り

      T. Harada, K. Fujiwara, A. Tsukazaki

      APL Materials6 ( 4 ) 046107-1 - 046107-6   2018年4月1日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.  

      DOI： 10.1063/1.5027579

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    • Enhancement of superconducting transition temperature in FeSe electric-double-layer transistor with multivalent ionic liquids 査読有り

      Miyakawa Tomoki, Shiogai Junichi, Shimizu Sunao, Matsumoto Michio, Ito Yukihiro, Harada Takayuki, Fujiwara Kohei, Nojima Tsutomu, Itoh Yoshimitsu, Aida Takuzo, Iwasa Yoshihiro, Tsukazaki Atsushi

      PHYSICAL REVIEW MATERIALS2 ( 3 )   2018年3月26日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/PhysRevMaterials.2.031801

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    • Fermi-level tuning of the Dirac surface state in (Bi1-xSbx)2Se3 thin films 査読有り

      Yosuke Satake, Junichi Shiogai, Daichi Takane, Keiko Yamada, Kohei Fujiwara, Seigo Souma, Takafumi Sato, Takashi Takahashi, Atsushi Tsukazaki

      Journal of Physics Condensed Matter30 ( 8 )   2018年2月1日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1088/1361-648X/aaa724

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    • Fabrication of tetragonal FeSe – FeS alloy films with high sulfur contents by alternate deposition 査読有り

      K. Fujiwara, J. Shiogai, A. Tsukazaki

      Jpn. J. Appl. Phys.56 ( 10 ) 100308 - 100308   2017年9月19日

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Institute of Physics  

      We report the synthesis of tetragonal FeS<inf>x</inf>Se<inf>1−</inf><inf>x</inf>films (x ≤ 0.78) by pulsed-laser deposition. To fabricate tetragonal alloy films with tetragonal FeSe and hexagonal FeS targets, we adopted an alternate deposition technique with an FeSe buffer layer on MgO(001). The overall film composition is controlled by the thickness ratio of FeS/FeSe layers. The out-of-plane lattice parameter of the films follows Vegard’s law, demonstrating homogeneous alloying by interdiffusion. The sulfur solid solubility reaches x = 0.78 in the FeS<inf>x</inf>Se<inf>1−</inf><inf>x</inf>films, which is by far higher than x ∼ 0.40 in bulk governed by the tetragonal phase instability.

      DOI： 10.7567/JJAP.56.100308.

      CiNii Article

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    • Enhanced electron mobility at the two-dimensional metallic surface of BaSnO3 electric-double-layer transistor at low temperatures 査読有り

      Kohei Fujiwara, Kazuki Nishihara, Junichi Shiogai, Atsushi Tsukazaki

      APPLIED PHYSICS LETTERS110 ( 20 ) 203503   2017年5月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4983611

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    • High field-effect mobility at the (Sr,Ba)SnO3/BaSnO3 interface 査読有り

      Kohei Fujiwara, Kazuki Nishihara, Junichi Shiogai, Atsushi Tsukazaki

      AIP ADVANCES6 ( 8 ) 085014   2016年8月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4961637

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    • Electric field-induced transport modulation in VO2 FETs with high-k oxide/organic parylene-C hybrid gate dielectric 査読有り

      Tingting Wei, Teruo Kanki, Kohei Fujiwara, Masashi Chikanari, Hidekazu Tanaka

      APPLIED PHYSICS LETTERS108 ( 5 ) 034502   2016年2月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4941233

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    • Impact of parylene-C thickness on performance of KTaO3 field-effect transistors with high-k oxide/parylene-C hybrid gate dielectric 査読有り

      Tingting Wei, Kohei Fujiwara, Teruo Kanki, Hidekazu Tanaka

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS119 ( 3 ) 034502   2016年1月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4940387

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    • Discrimination between gate-induced electrostatic and electrochemical characteristics in insulator-to-metal transition of manganite thin films 査読有り

      Takuro Nakamura, Azusa N. Hattori, Thi Van Anh Nguyen, Kohei Fujiwara, Hidekazu Tanaka

      APPLIED PHYSICS EXPRESS8 ( 7 ) 073201   2015年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/APEX.8.073201

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    • Identification of Giant Mott Phase Transition of Single Electric Nanodomain in Manganite Nanowall Wire 査読有り

      Azusa N. Hattori, Yasushi Fujiwara, Kohei Fujiwara, Thi Van Anh Nguyen, Takuro Nakamura, Masayoshi Ichimiya, Masaaki Ashida, Hidekazu Tanaka

      NANO LETTERS15 ( 7 ) 4322 - 4328   2015年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1021/acs.nanolett.5b00264

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    • 3D-architected and integrated metal oxide nanostructures and beyond produced by three-dimensional nanotemplate pulsed laser deposition 査読有り

      Azusa N. Hattori, Yasushi Fujiwara, Kohei Fujiwara, Hidekazu Tanaka

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology13   279 - 283   2015年6月6日

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：Surface Science Society of Japan  

      DOI： 10.1380/ejssnt.2015.279

      Scopus

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    • Estimation of dc transport dynamics in strongly correlated (La,Pr,Ca)MnO3 film using an insulator-metal composite model for terahertz conductivity 査読有り

      T. V. A. Nguyen, A. N. Hattori, M. Nagai, T. Nakamura, K. Fujiwara, M. Ashida, H. Tanaka

      APPLIED PHYSICS LETTERS105 ( 2 ) 023502   2014年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4890109

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    • Dual field effects in electrolyte-gated spinel ferrite: electrostatic carrier doping and redox reactions 査読有り

      Takashi Ichimura, Kohei Fujiwara, Hidekazu Tanaka

      SCIENTIFIC REPORTS4   5818   2014年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/srep05818

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    • Nonvolatile Transport States in Ferrite Thin Films Induced by Field-Effect Involving Redox Processes 査読有り

      Kohei Fujiwara, Takashi Ichimura, Hidekazu Tanaka

      ADVANCED MATERIALS INTERFACES1 ( 3 ) 1300108   2014年6月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1002/admi.201300108

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    • Electrical switching to probe complex phases in a frustrated manganite 査読有り

      Saket Asthana, Kohei Fujiwara, Hidekazu Tanaka

      SOLID STATE COMMUNICATIONS187   64 - 67   2014年6月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1016/j.ssc.2014.02.014

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    • Artificial three dimensional oxide nanostructures for high performance correlated oxide nanoelectronics 査読有り

      Hidekazu Tanaka, Hidefumi Takami, Teruo Kanki, Azusa N. Hattori, Kohei Fujiwara

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS53 ( 5 ) 05FA10   2014年5月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/JJAP.53.05FA10

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    • Fabrication of three-dimensional epitaxial (Fe,Zn)(3)O-4 nanowall wire structures and their transport properties 査読有り

      Azusa N. Hattori, Yasushi Fujiwara, Kohei Fujiwara, Yasukazu Murakami, Daisuke Shindo, Hidekazu Tanaka

      APPLIED PHYSICS EXPRESS7 ( 4 ) 045201   2014年4月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/APEX.7.045201

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    • 5d iridium oxide as a material for spin-current detection 査読有り

      Kohei Fujiwara, Yasuhiro Fukuma, Jobu Matsuno, Hiroshi Idzuchi, Yasuhiro Niimi, YoshiChika Otani, Hidenori Takagi

      NATURE COMMUNICATIONS4   2893   2013年12月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1038/ncomms3893

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    • Observation of rebirth of metallic paths during resistance switching of metal nanowire 査読有り

      K. Horiba, K. Fujiwara, N. Nagamura, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Oshima, H. Takagi

      APPLIED PHYSICS LETTERS103 ( 19 ) 193114   2013年11月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4829469

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    • Unstrained Epitaxial Zn-Substituted Fe3O4 Films for Ferromagnetic Field-Effect Transistors 査読有り

      Takashi Ichimura, Kohei Fujiwara, Takayoshi Kushizaki, Teruo Kanki, Hidekazu Tanaka

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52 ( 6 ) UNSP 068002   2013年6月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/JJAP.52.068002

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    • Electric-field breakdown of the insulating charge-ordered state in LuFe2O4 thin films 査読有り

      Kohei Fujiwara, Tatsuya Hori, Hidekazu Tanaka

      JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS46 ( 15 ) 155108   2013年4月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1088/0022-3727/46/15/155108

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    • In-Plane Oblique Pulsed-Laser Deposition and Its Application to the Fabrication of Metal Oxide Nanoconstrictions 査読有り

      Takayoshi Kushizaki, Kohei Fujiwara, Yasushi Fujiwara, Azusa N. Hattori, Hidekazu Tanaka

      APPLIED PHYSICS EXPRESS6 ( 3 ) 035201   2013年3月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/APEX.6.035201

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    • Nanowall-Shaped MgO Substrate with Flat (100) Sidesurface: A New Route to Three-Dimensional Functional Oxide Nanostructured Electronics 査読有り

      Yasushi Fujiwara, Azusa N. Hattori, Kohei Fujiwara, Hidekazu Tanaka

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS52 ( 1 ) 015001   2013年1月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.7567/JJAP.52.015001

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    • Controlled fabrication of artificial ferromagnetic (Fe, Mn)(3)O-4 nanowall-wires by a three-dimensional nanotemplate pulsed laser deposition method 査読有り

      Takayoshi Kushizaki, Kohei Fujiwara, Azusa N. Hattori, Teruo Kanki, Hidekazu Tanaka

      NANOTECHNOLOGY23 ( 48 ) 485308   2012年12月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1088/0957-4484/23/48/485308

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    • Tuning metal-insulator transition by one dimensional alignment of giant electronic domains in artificially size-controlled epitaxial VO2 wires 査読有り

      Hidefumi Takami, Kenichi Kawatani, Hiroki Ueda, Kohei Fujiwara, Teruo Kanki, Hidekazu Tanaka

      APPLIED PHYSICS LETTERS101 ( 26 ) 263111   2012年12月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4773371

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    • Three dimensional nano-seeding assembly of ferromagnetic Fe/LaSrFeO4 nano-hetero dot array 査読有り

      K. Okada, T. Sakamoto, K. Fujiwara, A. N. Hattori, T. Kanki, H. Tanaka

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS112 ( 2 ) 024320   2012年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.4739719

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    • Spatial Redistribution of Oxygen Ions in Oxide Resistance Switching Device after Forming Process 査読有り

      Takeshi Yajima, Kohei Fujiwara, Aiko Nakao, Tomohiro Kobayashi, Toshiyuki Tanaka, Kei Sunouchi, Yoshiaki Suzuki, Mai Takeda, Kentaro Kojima, Yoshinobu Nakamura, Kouji Taniguchi, Hidenori Takagi

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS49 ( 6 ) 060215   2010年6月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1143/JJAP.49.060215

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    • V-V dimerization effects on bulk-sensitive hard x-ray photoemission spectra for Magneacuteli phase vanadium oxides 査読有り

      M. Obara, A. Sekiyama, S. Imada, J. Yamaguchi, T. Miyamachi, T. Balashov, W. Wulfhekel, M. Yabashi, K. Tamasaku, A. Higashiya, T. Ishikawa, K. Fujiwara, H. Takagi, S. Suga

      PHYSICAL REVIEW B81 ( 11 ) 113107   2010年3月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/PhysRevB.81.113107

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    • Anomalous State Sandwiched between Fermi Liquid and Charge Ordered Mott-Insulating Phases of Ti4O7 査読有り

      M. Taguchi, A. Chainani, M. Matsunami, R. Eguchi, Y. Takata, M. Yabashi, K. Tamasaku, Y. Nishino, T. Ishikawa, S. Tsuda, S. Watanabe, C. -T. Chen, Y. Senba, H. Ohashi, K. Fujiwara, Y. Nakamura, H. Takagi, S. Shin

      PHYSICAL REVIEW LETTERS104 ( 10 ) 106401   2010年3月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1103/PhysRevLett.104.106401

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    • Electrode-Geometry Control of the Formation of a Conductive Bridge in Oxide Resistance Switching Devices 査読有り

      Kohei Fujiwara, Takeshi Yajima, Yoshinobu Nakamura, Marcelo J. Rozenberg, Hidenori Takagi

      APPLIED PHYSICS EXPRESS2 ( 8 ) 081401   2009年8月

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      担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1143/APEX.2.081401

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    • Inhomogeneous chemical states in resistance-switching devices with a planar-type Pt/CuO/Pt structure 査読有り

      R. Yasuhara, K. Fujiwara, K. Horiba, H. Kumigashira, M. Kotsugi, M. Oshima, H. Takagi

      APPLIED PHYSICS LETTERS95 ( 1 ) 012110   2009年7月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1063/1.3175720

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    • Resistance Switching and Formation of a Conductive Bridge in Metal/Binary Oxide/Metal Structure for Memory Devices 査読有り

      Kohei Fujiwara, Takumi Nemoto, Marcelo J. Rozenberg, Yoshinobu Nakamura, Hidenori Takagi

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS47 ( 8 ) 6266 - 6271   2008年8月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1143/JJAP.47.6266

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    • Accumulation and depletion layer thicknesses in organic field effect transistors 査読有り

      M Kiguchi, M Nakayama, K Fujiwara, K Ueno, T Shimada, K Saiki

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS42 ( 12A ) L1408 - L1410   2003年12月

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      記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

      DOI： 10.1143/JJAP.42.L1408

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    MISC

    • Fe-Sn薄膜素子が示す異常ホール効果と磁気抵抗効果を用いた磁気センサ応用

      塩貝 純一, 藤原 宏平, 塚﨑 敦

      日本磁気学会第244回研究会資料244-4   121 - 25   2023年9月

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    • トポロジカル物質を用いた薄膜磁気センサ 招待有り 査読有り

      藤原 宏平, 塩貝 純一, 塚﨑 敦

      応用物理92 ( 1 ) 20 - 24   2023年1月

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      担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

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    • パリレンゲート絶縁膜を用いた機能性酸化物のトランジスタ動作と電界物性制御

      藤原 宏平

      高分子絶縁材料の絶縁破壊・劣化メカニズムとその対策技術   291 - 298   2021年1月

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      担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）  

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    • Fe-Sn 合金薄膜の異常ホール効果を用いた磁場センサ 招待有り

      藤原 宏平, 塚﨑 敦

      日本磁気学会第226回研究会資料226-4 ( 19 )   2020年1月

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      記述言語：日本語  

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    • ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製 査読有り

      藤原 宏平

      電気学会論文誌C139   207 - 210   2019年3月

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      記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

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    • セレン化鉄および関連化合物の薄膜作製と物性評価 招待有り

      藤原 宏平, 塩貝 純一, 塚﨑 敦

      応用物理学会結晶工学分科会第148回研究会   21 - 25   2018年4月

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      記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

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    • ポリパラキシリレン薄膜の形成と酸化物電界効果素子への応用

      藤原 宏平, 大内 誠, 山内 秀彦

      電気学会電子材料研究会資料EDM-17-025   13 - 16   2017年11月

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      記述言語：日本語   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

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    講演・口頭発表等

    • コランダム類縁構造酸化物の薄膜物質開発と物性評価 招待有り

      藤原 宏平, 塚﨑 敦

      第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月22日 

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      記述言語：日本語  

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    • Topological Hall effect in multilayers of kagome-lattice ferromagnet Fe3Sn and Pt 招待有り

      藤原 宏平

      Indo-Japan Workshop on Interface Phenomena for Spintronics  2022年3月9日 

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    • 新奇デバイス機能の実現に向けた金属酸化物の薄膜化研究 招待有り

      藤原 宏平

      2021年日本表面真空学会学術講演  2021年11月3日 

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    • ポリマー／酸化物界面における電気伝導制御とトランジスタ機能 招待有り

      藤原 宏平

      令和3年電気学会全国大会シンポジウムS8「無機薄膜のフレキシブルコーティングおよび異種材料接合技術」  2021年3月10日 

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      会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 極性構造・異常原子価・ハニカム格子に着目した酸化物薄膜研究 招待有り

      藤原 宏平

      酸化物研究の新機軸に向けた学際討論会  2021年3月2日 

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    • Fe-Sn合金薄膜の異常ホール効果を用いた磁場センサ 招待有り

      藤原 宏平

      日本磁気学会第226回研究会／第74回スピントロニクス専門研究会  2020年1月17日 

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      会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • Thin-film growth and interface engineering of high-mobility Sn oxides 招待有り

      藤原 宏平

      Dept. Phys. Seminar, University of Seoul  2019年10月30日 

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    • New aspects of Sn-based transparent conducting oxides: high-mobility interface and its potential coupling with spontaneous polarization 招待有り

      藤原 宏平

      KIST-KINKEN symposium 2019, Korea Institute of Science and Technology  2019年10月29日 

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    • 高移動度スズ系酸化物の薄膜合成と界面伝導評価 招待有り

      藤原 宏平

      日本放射光学会第11回若手研究会「放射光を用いたナノ分光技術とスピントロニクスとの協奏」  2019年8月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • Field-effect transistor based on crystalline ZnSnO3 grown by molecular beam epitaxy 招待有り 国際会議

      藤原 宏平

      4th EMRS & MRS-J Bilateral Symposium on Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

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      記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 薄膜合成と界面制御による酸化物トランジスタの機能向上 招待有り

      藤原 宏平

      日本セラミックス協会第31回秋季シンポジウム  2018年9月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 薄膜化学で切り拓く酸化物トランジスタの新機能 招待有り

      藤原 宏平

      電子情報通信学会信越支部講演会  2018年6月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • セレン化鉄および関連化合物の薄膜作製と物性評価 招待有り

      藤原 宏平

      応用物理学会第148回結晶工学分科会研究会  2018年4月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 静電キャリアドーピングによるBaSnO3薄膜の電子移動度向上 招待有り

      藤原 宏平

      第27回日本MRS年次大会  2017年12月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • ポリパラキシリレン薄膜の形成と酸化物電界効果素子への応用 招待有り

      藤原 宏平, 大内 誠, 山内 秀彦

      電子材料研究会フレキシブルセラミックスコーティング研究会  2017年11月23日 

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    • ポスト遷移金属の酸化物を用いた薄膜素子研究 招待有り

      藤原 宏平

      ポスト新機能物質開発のための戦略会議  2017年11月15日 

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    • スズ系複酸化物のエピタキシャル成長と電子機能開拓 招待有り

      藤原 宏平

      第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • Dual field effects in spinel ferrite electric-double layer transistors: electrostatic carrier doping and redox reactions 招待有り 国際会議

      藤原 宏平

      14th International Union of Materials Research Societies-International Conference on Advanced Materials  2015年10月 

      ▶ 詳細を見る

      記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 機能性酸化物PLD技術 招待有り

      藤原 宏平

      文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム平成26年度セミナー成膜プロセス技術実践セミナー  2015年2月18日 

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    • Growth of Complex Nanostructures of Metal Oxides Using a Shadow Effect 招待有り 国際会議

      藤原 宏平

      International Union of Materials Research Society–International Conference on Electronic Materials  2014年6月 

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      記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • Tuning the Transport Properties of Ferrite Thin Films by Electric-Double-Layer Gating 招待有り 国際会議

      藤原 宏平

      23rd Annual Meeting of MRS-Japan, International Symposium  2013年12月 

      ▶ 詳細を見る

      記述言語：英語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 陰影効果を利用した金属酸化物ナノ構造の局所成長 招待有り

      藤原 宏平, 岡田 浩一, 服部 梓, 田中 秀和

      附置研究所間アライアンスによるナノとマクロをつなぐ物質・デバイス・システム創製戦略プロジェクト第1回アライアンス若手研究交流会  2013年11月26日 

      ▶ 詳細を見る

    • 遷移金属ナノ構造の酸化還元を利用した抵抗変化デバイス 招待有り

      藤原 宏平

      第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

      ▶ 詳細を見る

      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • Electric-Field-Induced Phase Transition in Charge-Ordered LuFe2O4 Thin Films 招待有り

      K. Fujiwara, T. Hori, H. Tanaka

      21th International Conference on Composites/Nano Engineering  2013年7月23日 

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    • Observation of Local Electrochemical Phase Change in Resistive Switching Devices 招待有り

      K. Fujiwara, Y. Konno, Y. Nakamura, M. J. Rozenberg, H. Takagi

      19th International Conference on Composites/Nano-Engineering  2011年7月25日 

      ▶ 詳細を見る

    • Resistance Switching and Formation of a Conductive Bridge in Metal/Binary Oxide/Metal Structure for Memory Devices 招待有り

      藤原 宏平

      第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    • 遷移金属酸化物抵抗変化メモリーにおける局所相変化機構 招待有り

      藤原 宏平

      日本放射光学会第二回若手研究会「顕微分光のフロンティア」  2010年8月 

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      記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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    共同研究・競争的資金等の研究

    • トポロジカル物質群のアモルファス薄膜材料化

      科学技術振興機構  創発的研究支援事業 

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      2023年4月 - 2026年3月

      担当区分：研究代表者 

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    • 極薄膜のトポタクティック反応によるカゴメ格子単層物質の創製と量子機能物性の実証

      日本学術振興会  学研究費補助金・基盤研究（B） 

      藤原宏平

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      2023年4月 - 2026年3月

      課題番号：23H01830

      担当区分：研究代表者 

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    • 薄膜安定化した極性酸化物半導体におけるマルチレベル強誘電メモリ機能の実証

      日本学術振興会  科学研究費補助金・基盤研究（B） 

      藤原 宏平

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      2019年4月 - 2021年3月

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

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    • ゲート電界による鉄酸化物薄膜の酸化状態制御と相変化デバイス機能の開拓

      日本学術振興会  科学研究費補助金・基盤研究（B） 

      藤原 宏平

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      2015年4月 - 2018年3月

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

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    • スピン流計の実現

      日本学術振興会  科学研究費補助金・挑戦的萌芽研究 

      藤原 宏平

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      2015年4月 - 2017年3月

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

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    • 鉄系酸化物の室温電子固体状態における電子相変化機能の実証

      日本学術振興会  科学研究費補助金・若手研究（B） 

      藤原 宏平

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      2013年4月 - 2015年3月

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

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    • 二元系遷移金属酸化物における電界誘起抵抗変化現象の機構解明

      日本学術振興会  科学研究費補助金・若手研究（B） 

      藤原 宏平

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      2010年4月 - 2013年3月

      課題番号：22760519

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

      遷移金属酸化物で発現する抵抗スイッチング現象のメカニズム解明、特に酸化還元反応の関与を実験的に明らかにすることを目指した。デバイス内部の局所領域で発現するとされる化学変化を検出するためのユニークなデバイス構造として、抵抗変化サイトが予め規定されたナノワイヤー型素子を開発した。 Ni ナノワイヤー素子を用いた三次元ナノ光電子分光実験から、 抵抗スイッチングに伴い NiO への酸化 (高抵抗化) ・金属 Ni への再還元 (低抵抗化)が生じることを見出し、抵抗スイッチングの微視的起源が酸化還元であることを実証することに成功した。

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    • スピンホール効果を用いた5d電子系酸化物におけるスピン・軌道相互作用の学理構築

      日本学術振興会  科学研究費助成事業 

      松野 丈夫, 福間 康裕, 藤原 宏平

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      2010年 - 2012年

      課題番号：22340108

      担当区分：研究分担者 

      配分額：19370000円 （ 直接経費：14900000円 、 間接経費：4470000円 ）

      5d 遷移金属酸化物IrO_2 の逆スピンホール効果を検出し,スピン流→電圧変換の性能指数であるスピンホール抵抗率がPt の10 倍程度となることを示した.5d 遷移金属酸化物においてスピン・軌道相互作用が支配的であることを輸送現象から初めて見出すとともに,高効率スピン流検出用材料としての可能性を証明した.また,SrIrO_3 とSrTiO_3 からなる人工超格子が新たなモット絶縁体であることを見出し,スピン・軌道相互作用と電子相関の協奏に及ぼす次元性の効果を明らかにした.

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    • 強相関ヘテロ接合の創成—学理解明とデバイス応用

      日本学術振興会  科学研究費補助金・特別研究員奨励費DC1 

      藤原 宏平

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      2005年4月 - 2008年3月

      課題番号：05J11868

      担当区分：研究代表者  資金種別：競争的資金

      金属/遷移金属酸化物/金属サンドイッチ構造における抵抗スイッチング効果に関する研究 遷移金属酸化物が示す抵抗スイッチング効果が大きな注目を集め,活発に研究されている.その動機は二つあり,次世代不揮発性メモリである抵抗メモリ素子への応用及び現象の物理的起源の解明である.著者はこれまでに,CuOにおける抵抗スイッチング効果の舞台が,ソフト絶縁破壊操作によって酸化物中に形成される導電性パスであることを明らかにしてきた.本年度は以下の実験を行った.
      1,導電性パスの形成位置及びサイズの制御
      パスの形成は一種の絶縁破壊であることが昨年度までの結果から明らかになっているため,局所的な電界集中領域を電極パターンに導入することで,パスの形成位置制御を試みた.形成されたパスは電界集中領域にピン止めされるとともに,電極間距離の調整によって,パスサイズを減少させることも出来ることが分かった.また,それに伴って,スイッチング電圧・電流が大幅に低減されることも分かった.即ち,当該効果は将来の素子微細化・高集積化の中でも高いポテンシャルを有する.
      2,導電性パスの化学分析
      導電性パスは酸化物が溶融しな外観を持つ.抵抗スイッチング動作の低抵抗状態では,素子は金属伝導を示すため,母体酸化物の還元による金属の形成が期待される.この推測に基づいて,光電子顕微鏡・エネルギー分散型X線分析などによる化学組成の評価(Cuの価数分析・定性定量分析)を行った結果,パス構造は強く還元されたCuOから成ることが明らかになり,また金属Cuの存在も強く示唆された.化学状態は空間的に不均ーであることから,一種の非平衡的な反応の関与が推察される.
      2,導電性パスの化学分析
      導電性パスは酸化物が溶融しな外観を持つ.抵抗スイッチング動作の低抵抗状態では,素子は金属伝導を示すため,母体酸化物の還元による金属の形成が期待される.この推測に基づいて,光電子顕微鏡・エネルギー分散型X線分析などによる化学組成の評価(Cuの価数分析・定性定量分析)を行った結果,パス構造は強く還元されたCuOから成ることが明らかになり,また金属Cuの存在も強く示唆された.化学状態は空間的に不均ーであることから,一種の非平衡的な反応の関与が推察される.

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    産業財産権

    • 層状半導体、層状半導体の製造方法

      塚﨑 敦, 寺田 吏, 藤原 宏平

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      出願人：国立大学法人東北大学

      出願番号：特願2024-175672  出願日：2024年10月7日

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    • 熱電変換装置

      塚﨑 敦, 藤原 宏平, 塩貝 純一

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      出願人：東北大学

      出願番号：特願PCT/JP2022/038027  出願日：2022年10月12日

      公開番号：特開WO 2024/079811 A1  公開日：2024年4月18日

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    • ホール素子

      塚﨑 敦, 藤原 宏平

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      出願番号：特願2018-157542  出願日：2018年8月24日

      公開番号：特開WO 2020/040264  公開日：2020年2月27日

      特許番号/登録番号：特許第7461651  登録日：2024年3月27日 

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    • 薄膜及びその製造方法、熱電変換素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ並びに磁気センサ

      塚﨑 敦, 藤原 宏平, 須﨑 友文, 水野 弘樹, 深堀 明博

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      出願人：東北大学、三菱ケミカル

      出願番号：特願2022-058190  出願日：2022年3月31日

      公開番号：特開2023-149556  公開日：2023年10月13日

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    • 磁気素子

      金澤 直也, 大塚 悠介, 堀 智洋, 平山 元昭, 十倉 好紀, 塚﨑 敦, 藤原 宏平

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      出願人：東京大学、東北大学

      出願番号：特願2022-030135  出願日：2022年2月28日

      公開番号：特開2023-126707  公開日：2023年9月8日

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    • 横熱電変換材料、横熱電変換素子及び熱電変換モジュール

      塚﨑 敦, 藤原 宏平, 水野 弘樹, 須﨑 友文

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      出願人：東北大学、三菱ケミカル株式会社

      出願番号：特願2023-047069  出願日：2023年3月23日

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    • 磁気センサおよび磁気検出方法

      塚﨑 敦, 藤原 宏平, 塩貝 純一

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      出願人：東北大学

      出願番号：特願PCT/JP2022/6778  出願日：2022年2月18日

      特許番号/登録番号：特許第7244157  登録日：2023年3月13日 

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    • 電流－スピン流変換素子

      藤原 宏平, 福間 康裕, 松野 丈夫, 大谷 義近, 髙木 英典

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      出願人：独立行政法人理化学研究所

      出願番号：特願2010-191414  出願日：2010年8月27日

      公開番号：特開2012-049403  公開日：2012年3月8日

      特許番号/登録番号：特許第5590488号  発行日：2014年8月8日

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    • サーミスタ素子

      髙木 英典, 中村 吉伸, 藤原 宏平

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      出願人：株式会社東京大学TLO、エヌイーシーショットコンポーネンツ株式会社

      出願番号：特願2004-079818  出願日：2004年3月19日

      公開番号：特開2005-268578  公開日：2005年9月29日

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